DDR3/4 Despacho de mercancías ¢ Precios muy competitivos, entrega inmediata

June 11, 2025

Recientemente, el mercado DDR3/4 ha experimentado un cambio repentino, cayendo en una situación tensa de escasez y aumento de precios.y SK Hynix planean descontinuar gradualmente los sistemas DDR3 y DDR4Esta decisión condujo a una fuerte disminución de la oferta de DDR3/4 en el mercado, causando un aumento en los precios del mercado al contado.Nuestra compañía ha reservado un lote de DDR3/4 por adelantado con una gran visión del mercado.

Los siguientes modelos de DDR están en stock con una garantía de calidad genuina:

DDR3/4
Nombre del producto	Modo de producto	Especificaciones	Código	Marca del producto	Cantidad	Almacén
DDR3L 256MB16	A3T4GF40BBF-HP	DDR3L 4Gb16 1866	Las demás:	Se trata de una serie de medidas de control.	46670	En Shenzhen

DDR3L 256MB16	A3T4GF40BBF-HP	DDR3L 4Gb16 1866	Las demás:	Se trata de una serie de medidas de control.	938410	Hong Kong

DDR4 512MB16	A3F8GH40BBF-KDPR	DDR4 8Gb16 2666	Los demás	Se trata de una serie de medidas de control.	14210	En Shenzhen

DDR4 512MB16	A3F8GH40BBF-KDPR	DDR4 8Gb16 2666	Los demás	Se trata de una serie de medidas de control.	238260	Hong Kong

8Gb ((DDR) 256M x32	NT1capacidad de producción	Se trata de una prueba de la complejidad.		PG/Nanya	35K

Especificación de la RAM SDRAM de 8 GB DDR4

• Fuente de alimentación

-VDD = VDDQ= 1,2 V¿Qué quieres decir?El 5%

-VPP= 2,5 V 5% + 10%

• Tasa de datos
- 3200 Mbps (DDR4-3200)
- 2933 Mbps (DDR4-2933)
- 2666 Mbps (DDR4-2666)
- 2400 Mbps (DDR4-2400)
- 2133 Mbps (DDR4-2133)
- 1866 Mbps (DDR4-1866)
- 1600 Mbps (DDR4-1600)
• Paquete
- FBGA de 96 bolas (A3F8GH40BBF)
- Sin plomo
• 8 bancos internos2 grupos de 4 bancos cada uno (x16)
• Operación de entradas de reloj diferencial (CK_t y CK_c)
• Estroboscopo bidireccional de datos diferenciales (DQS_t y DQS_c)
• Se admite el restablecimiento asíncrono (RESET_n)
• Calibración ZQ para el controlador de salida en comparación con
resistencia de referencia externa

(RZQ 240¿Qué quieres decir?¿Qué quieres decir?1%)

• Terminación nominal, de parques y dinámica en el momento de la muerte (ODT)
• DLL alinea las transiciones DQ y DQS con las transiciones CK
• Los comandos introducidos en cada borde positivo CK
• CAS Latency (CL): 13, 15, 17, 19, 21 y 22 soportados
• Se admite la latencia aditiva (AL) 0, CL-1 y CL-2
• Largura de estallido (BL): 8 y 4 con soporte a vuelo
• Tardancia de escritura CAS (CWL): 9, 10, 11, 12, 14, 16, 18,
y 20 apoyados
• Rango de temperatura de la caja de trabajo

TC = 0¿Qué quieres decir?C a +95¿Qué quieres decir?C (grado comercial)

• Ciclos de actualización
Período medio de actualización

7.8¿Qué quieres decir?s en 0¿Qué quieres decir?C. Las¿Qué quieres decir?TC¿Qué quieres decir?+ 85¿Qué quieres decir?C. Las

3.9¿Qué quieres decir?s en +85¿Qué quieres decir?C < TC¿Qué quieres decir?+95 años¿Qué quieres decir?C. Las
• Se admite la actualización de granularidad fina
• Generación interna ajustable VREFDQ
• Interfaz pseudo abierta (POD) para entrada/salida de datos
• Fuerza de accionamiento seleccionada por MRS
• La transferencia de datos de alta velocidad por el pre-retroceso de 8 bits
• Se admite el modo de actualización controlada por temperatura (TCR)
• Se admite el modo LPASR (Low Power Auto Self Refresh)
• Se admite la interrupción automática de actualización
• Se admite el preámbulo programable
• Se admite la nivelación de escritura
• Se admite la latencia de comando/dirección (CAL)
• Registro polivalente con capacidad de lectura y escritura
• Paridad de direcciones de comandos (paridad de CA) para
Detecta y informa el error de señal de dirección de comando.
al controlador
• Escriba el código de redundancia cíclica (CRC) para el error DQ
Detectar e informar al controlador durante la alta velocidad
operación
• Inversión del bus de datos (DBI) para mejorar la potencia
Consumo y integridad de la señal de la memoria
Interfaz
• Máscara de datos (DM) para escribir datos
• Direccionabilidad por DRAM (PDA) para cada DRAM
se puede establecer un valor de registro de modo diferente
El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones
• Se admite el modo de reducción de velocidad (1/2 y 1/4 velocidad)
• se apoya el hPPR y el sPPR
• Prueba de conectividad (sólo x16)
• Modo de apagado máximo para la potencia más baja
Consumo sin actividad interna de refresco
• JEDEC JESD-79-4 cumple con las normas

Especificación de la RAM SDRAM 4Gb DDR3/DDR3L
Especificaciones	Características
• Densidad: bits 4G • Organizaciones O 8 bancos x 64 millones de palabras x 8 bits 8 bancos x 32 millones de palabras x 16 bits • Paquete o FBGA de 78 bolas o FBGA de 96 bolas • Fuente de alimentación: - ¿Qué quieres? o VDD, VDDQ = 1,35 V (1,283 a 1,45 V) o Compatible con el funcionamiento DDR3 VDD, VDDQ = 1,5 V (1.425 a 1,575 V) - JR. - ¿Qué quieres decir? o VDD, VDDQ = 1,5 V (1.425 a 1.575 V) - JRL o VDD, VDDQ = 1,35 V (1,283 a 1,45 V) • Tasa de datos: 1866 Mbps/2133 Mbps (máximo) • Tamaño de página de 1KB (x8) o Dirección de la fila: AX0 a AX15 o Dirección de la columna: AY0 a AY9 • Tamaño de página de 2KB (x16) o Dirección de la fila: AX0 a AX14 o Dirección de la columna: AY0 a AY9 • Ocho bancos internos para operaciones simultáneas • Longitudes de reventón (BL): 8 y 4 con reventón (BC) • Tipo de explosión (BT) o Secuencial (8, 4 con BC) o Interleave (8, 4 con BC) • Tardancia en el CAS (CL): 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 13, 14 • Tardancia de escritura CAS (CWL): 5, 6, 7, 8, 9, 10 • Precarga: opción de precarga automática para cada ráfaga acceso • Fuerza del conductor: RZQ/7, RZQ/6 (RZQ = 240 Ω) • Actualizar: actualización automática, auto-actualización • Período promedio de actualización o 7,8 US a TC ≤ + 85 °C o 3,9 us a TC > +85°C • Rango de temperatura de funcionamiento o TC = 0°C a +95°C (grado comercial) o TC = -40°C a +95°C (grado industrial) o TC = -40°C a +105°C (grado automotriz 2)	• La transferencia de datos de alta velocidad se realiza por el 8 Bits prefetch arquitectura de tuberías • Arquitectura de doble velocidad de datos: dos transferencias de datos por ciclo de reloj • Estroboscopo bidireccional de datos diferenciales (DQS y /DQS) se transmite/recibe con datos para Captura de datos en el receptor • DQS está alineado en el borde con los datos de las READ; centro alineados con los datos de las RRITEs • Entradas de reloj diferencial (CK y /CK) • DLL alinea las transiciones DQ y DQS con CK las transiciones • Los comandos introducidos en cada borde positivo de CK; datos y máscara de datos referenciada a ambos bordes de DQS • Máscara de datos (DM) para escribir datos • CAS publicado por latencia aditiva programable para mejora de la eficiencia del bus de comandos y datos • Termination on-die (ODT) para una mejor calidad de la señal o ODT sincrónico o ODT asincrónico • Registro multipropósito (MPR) para registros predefinidos Se lee el patrón • Calibración ZQ para accionamiento DQ y ODT • Autorefrescamiento de matriz parcial programable (PASR) • Pin RESET para la secuencia de encendido y reinicio Función • Rango de SRT (temperatura de autorefrescamiento): o Normal/Extendido • Auto-actualización (ASR) • Control de impedancia del controlador de salida programable • DDR3/DDR3L conforme con el JEDEC • Libre de martillo (RH): detección/bloqueo circuito en el interior

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Teléfono :	+8615712055204